플라즈마 에칭 박막 장비는{0}}박막 코팅의 정밀 제거를 위해 설계된 최첨단 솔루션으로,{1}}표면 개질 및 잔류물 제거에 뛰어난 성능을 제공합니다. 반응성 이온 에칭(RIE) 기술을 활용하는 이 장비는 화학 반응과 물리적 이온 충격을 결합하여 균일하고 제어된 필름 제거를 달성합니다.

주요 이점:

저온-처리: Plasma Etching Thin Film Equipment는 초저온에서 작동하여 열응력을 최소화하고 기판 변형을 방지합니다. 이 기능은 폴리머 및 정밀 광학과 같은 섬세한 재료에 매우 중요합니다.
조정 가능한 에칭 속도: 이온 소스와 기판 사이의 거리는 높이 조정이 가능한 회전 플랫폼을 통해 동적으로 조정될 수 있으며, 에칭 속도(최대 30nm/분)를 정밀하게 제어하여 다양한 프로세스 요구 사항을 충족할 수 있습니다.
높은 균일성: 특허받은 이온빔 소스와 고급 방전 기술을 갖춘 이 장비는 고밀도 플라즈마를 생성하여 최대 직경 800mm의 기판에 걸쳐 균일한 식각과 일관된 결과를 보장합니다.
이중-기능: 필름 제거 외에도 이 시스템은 표면 청소 및 후속 코팅 공정을 위한 전처리를 포함한 다기능 응용 분야에 맞게 맞춤화할 수 있습니다.{0}}

메커니즘 및 프로세스:

그만큼플라즈마 세척 기계이온화된 가스(플라즈마)에 의해 구동되는 물리적 충격과 화학 반응의 정교한 상호 작용을 통해 작동합니다. 핵심적으로 시스템은 저압 가스 환경(예: 산소, 아르곤 또는 질소)에 무선 주파수(RF) 에너지를 적용하여 플라즈마를 생성합니다.- 이 에너지는 가스 분자를 이온, 전자, 자유 라디칼 등의 반응성 종으로 해리시켜 고-에너지 플라즈마 구름을 형성합니다.

1, 플라즈마 생성:
RF 전력(일반적으로 13.56MHz 또는 40kHz)이 진공 챔버 내의 전극에 적용되면 가스 분자가 이온화됩니다. 이는 글로우 방전을 생성하여 안정적인 플라즈마 상태를 생성합니다. 공정 가스의 선택에 따라 지배적인 반응 메커니즘이 결정됩니다. 즉, 산소 플라즈마는 유기 오염물질을 산화하는 데 탁월한 반면, 아르곤 플라즈마는 무기 잔류물에 대한 물리적 스퍼터링을 향상시킵니다.

2, 청소 메커니즘:

물리적 폭격:플라즈마의 고{0}}에너지 이온은 표면 오염 물질과 충돌하여 분자 결합을 끊고 운동 에너지 전달을 통해 입자를 제거합니다. 이 공정은 입자상 물질과 약하게 부착된 층을 효과적으로 제거합니다.
화학 반응:반응성 라디칼(예: O⁎, OH⁎)은 유기 오염물질과 상호작용하여 이를 휘발성 부산물(CO2, H2O)로 분해하고 진공 시스템을 통해 배출됩니다.
표면 활성화:동시에 플라즈마 노출은 극성 작용기(-OH, -COOH)를 생성하여 표면 화학을 수정하고 후속 공정에 대한 습윤성과 접착력을 향상시킵니다.

에칭 전- 및 에칭 후-비교

사전{0}}에칭: 잔류 탄소- 기반 필름(예: DLC/ta-C 코팅)이나 오염 물질로 인해 표면 접착력과 광학 성능이 저하될 수 있습니다.
포스트-에칭: 깨끗하고 오염 물질이 없는{0}} 표면이 얻어지며, 후속 코팅에 대한 접착력이 향상되고 가전제품, 광학, 재생 에너지와 같은 산업 분야에서 제품 신뢰성이 향상됩니다.

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