이 산업용 PVD 복합 진공 증착 플랫폼은 여러 증착 기술을 단일 챔버 환경에 통합하여 균일한 다층 금속, 합금 또는 유전체 박막을 증착합니다. 표준 아키텍처는 롤{4}}투- 또는 3D 부품 처리에 사용할 수 있는 맞춤형 챔버 형상을 통해 최대 400mm x 400mm 크기의 기판에 대한 일괄 처리를 수용합니다.
기술 사양
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매개변수 |
사양표준 |
선택적 업그레이드/맞춤형 범위 |
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궁극적인 기본 압력 |
< 5.0 x 10^-5 Pa |
< 1.0 x 10^-6 Pa (Cryopump configuration) |
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펌프-다운타임 |
< 15 min (To 1.0 x 10^-3 Pa) |
터보-분자 통합으로 8분으로 단축 |
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챔버 재료 |
304L 스테인레스 스틸(전기-연마) |
316L 스테인레스 스틸 / 내부 차폐 라이너 |
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기판 고정 장치 크기 |
300mm x 300mm 플랫 캐리어 |
최대 600mm 직경 또는 맞춤형 유성 드라이브 |
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필름 균일성 |
표준 기판 면적 전체에서 +/- 3% |
최적화된 마스킹 및 기판 회전 시 +/- 1.5% |
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증착 소스 |
2 x 열 증발 + 2 x 마그네트론 스퍼터링 |
최대 6개의 혼합{1}}소스 구성(RF/DC/열) |
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전원공급장치 |
DC: 5kW; RF: 13.56MHz, 3kW |
펄스형 DC 및 중{0}}주파수(MF) 발생기 |
주요 특징
다중-소스 통합:단일 펌프다운 사이클에서 열 증발과 마그네트론 스퍼터링을 결합하여{0}} 인터페이스 산화를 방지하고 처리 시간을 단축합니다.
폐쇄형-루프 두께 제어:석영 크리스탈 마이크로밸런스(QCM) 센서 및 광학 모니터 시스템과 직접 인터페이스하여 증착 속도를 실시간으로 관리합니다.
모듈형 챔버 아키텍처:플랜지 포트를 사용하면 메인 챔버 본체를 다시 가공하지 않고도 추가 증발 소스 또는 이온 건을 빠르게 개조할 수 있습니다.-
기판 바이어싱 기능:RF/DC 바이어스 전원 공급 장치는 증착 전에 이온 충격 세척 기능을 제공하여 까다로운 금속 및 세라믹 기판의 필름 접착력을 높입니다.
자동화된 프로세스 순서:PLC{0}}제어 레시피 관리는 게이트 밸브, 질량 흐름 컨트롤러(MFC), 전력 램핑 및 셔터 작동을 제어하여 작업자가 유발하는 변동을 제거합니다.-
진공 시스템 구성
진공 하위 시스템은 사이클 시간을 최소화하고 다양한 소스 재료에서 발생하는 가스 방출 부하를 처리하도록 구성되었습니다.
황삭 및 루팅 펌프:건식 스크류 펌프는 오일 역{0}}스트리밍 위험을 제거하여 클린룸 ISO 클래스 4 요구 사항을 충족합니다.
고-진공 펌프: Combination of magnetically levitated turbo-molecular pumps (slot speed >= 1600 L/s) 및 높은 수증기 펌핑 용량을 위한 선택적 크라이오펌프-.
압력 모니터링:이중-범위 게이지 구성(황삭용 피라니 게이지, 고진공용 이온화/페닝 게이지)이 안전 밸브와 연동되어 필라멘트의 대기 오염을 방지합니다.
누출 감지:헬륨 누출-은 공장 승인 전에 < 1.0 x 10^-9 Pa·m^3/s의 임계값까지 확인되었습니다.
증발 재료 및 기판 호환성
증발 재료:
궤조:Al, Cu, Ti, Cr, Ni, Au, Ag, Pt.
합금:NiCr, TiAl, 스테인리스강 타겟.
유전체/산화물:SiO2, TiO2, Al2O3, ITO(반응성 스퍼터링 또는 전자빔 통합을 통해).
기판 호환성:
반도체 웨이퍼:실리콘, GaAs 최대 300mm.
광학 기판:광학 유리, 석영, 사파이어 렌즈.
엔지니어링 플라스틱:저온 열 관리를 통한 PI, PET, PC-.
금속 기판:금속 포일 및 스탬프가 찍힌 금속 부품.
응용
광전자공학:터치 패널 및 센서 창을 위한 투명 전도성 산화물(ITO) 및 반사 방지 다중-층 증착.
전력전자:실리콘 및 와이드 밴드갭 반도체 기판에 저저항 저항 접점 및 장벽층 형성-
기능성 코팅:산업용 패스너, 의료용 임플란트 및 소비자 하드웨어에 대한 내마모성 및 장식용 금속 코팅입니다.
사용자 정의 옵션
장비 구성은 특정 제조 제약 조건에 맞게 조정됩니다.
챔버 크기:R&D 벤치탑 장치(400mm 큐브)에서 대용량 생산 시스템(1200mm 원통형/박스 챔버)으로-확장되었습니다.
로드-잠금 통합:연속 로딩 주기 동안 주 증착 영역에서 높은 진공 무결성을 유지하기 위한 단일-수동 로딩 또는 이중-챔버 로드-잠금 구성.
열 관리:수냉식,{0}}가열된 기판 스테이지(최대 600도) 또는 극저온 기판 냉각 테이블.
제어 인터페이스:SECS/GEM 또는 Modbus TCP 프로토콜을 통해 공장 SCADA 또는 MES 네트워크와 통합됩니다.
품질 관리 및 공장 테스트
모든 제품은 배송 전에 엄격한 검증을 거칩니다.
진공 무결성 테스트:48시간 연속 헬륨 질량 분석계 누출 감지 감사.
전기 안전 테스트:CE/UL 안전 지침을 준수하는 절연 저항, 절연 저항 및 접지 연속성 테스트.
기능적 드라이런:모든 기계식 셔터, 질량 유량 컨트롤러 및 발전기의 72시간 연속 자동 사이클링.
프로세스 수락 실행:증착 속도 안정성과 두께 균일성을 검증하기 위해 고객이 지정한 타겟 재료를 사용하여 FAT(Factory Acceptance Test)를 수행했습니다.-
설치 및 기술 지원
문서 패키지:P&ID 다이어그램, 전기 회로도, PLC 소스 로직 아키텍처, 사용자 유지 관리 매뉴얼을 포함한 완벽한 엔지니어링 결과물.
현장-시운전:현장 서비스 엔지니어는 장비, 클린룸 연결, 유틸리티 검증(냉각수, CDA, 전력) 및 현장 승인 테스트(SAT)를 감독합니다.
운영자 교육:프로세스 엔지니어를 위한 일상적인 유지 관리, 진공 문제 해결, 레시피 편집 등을 다루는 체계화된 실습{0}}교육입니다.
예비 부품 가용성:직접 배송을 위해 비축된 중요 구성품(씰 키트, 차폐 라이너, 필라멘트, QCM 크리스탈).
자주 묻는 질문
Q: 표준 증착 사이클 동안 도달되는 최대 기판 온도는 얼마입니까?
답변: 활성 기판 냉각 또는 가열이 없으면 열 증발원의 복사로 인해 기판 온도가 일반적으로 30~50도 상승합니다. 온도에 민감한 폴리머 필름의 경우 기판 온도를 40도 미만으로 유지하는 데 수냉식 기판 홀더를 사용할 수 있습니다.-
Q: 동일한 실행 내에서 시스템이 반응성 스퍼터링과 열 증발 사이를 전환할 수 있습니까?
답: 그렇습니다. PLC 레시피 관리자는 스퍼터링 음극을 위한 전원 공급 장치 활성화 및 열 보트의 전류 램핑과 함께 질량 흐름 컨트롤러(예: 반응 공정의 경우 O2 또는 N2)를 통해 가스 주입을 조정하여 진공을 깨지 않고도 다{5}}층 적층이 가능합니다.
Q: 표준 챔버 구성에는 어떤 유틸리티 요구 사항이 필요합니까?
A: Standard requirements include 3-phase 380V/480V AC (+/- 10%), 50/60Hz; clean dry air (CDA) at 0.5 to 0.7 MPa for pneumatic valves; chilled cooling water supply (>= 30 15~20도에서 L/min ); 배압 펌프 배기를 위한 국지적 배기 장치.
Q: 서로 다른 증발원 간의 교차 오염은 어떻게 관리되나요?{0}}
A: 각 소스 위치에는 개별 공압 셔터와 물리적 내부 차폐 배플이 있습니다. 소스 간-간격 및 방향 차폐는 공동 증발 또는 연속 다중-재료 실행 중에 재료가 인접한 소스로 교차-유동하는 것을 방지합니다.
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